V4N65, TO-251 MOSFETs
75 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
67 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
42 руб.
5 шт.
на сумму 335 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 4A 4V TO-251 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 581pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF |
| Вес, г | 0.57 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
