BC856A_R1_00001, 65V 330mW 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
1200 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4 руб.
20 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
65V 330mW 110@2mA,5V 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 110@2mA, 5V |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 330mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 176 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
