SVF4N65RMJ, Транзистор TO-251 MOSFETs
58 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
180 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 30 шт. —
87 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
TO-251 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Вес, г | 0.67 |
Техническая документация
Datasheet SVF4N65RMJ
pdf, 672 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
