BC846A_R1_00001, 65V 330mW 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3360 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.20 руб.
от 3000 шт. —
4.21 руб.
20 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
65V 330mW 110@2mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 110@2mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 330mW |
Transistor Type | NPN |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 330mW |
Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 330 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.