SVF4N60CAD, Транзистор TO-252-3 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1865 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
73 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
50 руб.
от 150 шт. —
46 руб.
от 500 шт. —
39.63 руб.
5 шт.
на сумму 365 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | - |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | - |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | - |
Вес, г | 0.38 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.