NCE60P50K, МОП-Транзистор 60 В 50 А 23 м-при 10 В, 20 А 95 Вт 3,5 В при 250мкА P-канал TO-252-2 (DPAK) МОП-Транзистор
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
36674 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
170 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 30 шт. —
87 руб.
от 100 шт. —
74.37 руб.
1 шт.
на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
60V 50A 23mΩ@10V,20A 95W 3.5V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 50A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Power Dissipation (Pd) | 79W |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 50A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 95W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 23mО© @ 20A,10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3.5V @ 250uA |
Вес, г | 0.55 |
Техническая документация
Datasheet NCE60P50K
pdf, 407 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.