AO4435, 30V 10.5A 13m-@10V,10.5A 3.1W 1.5V@250uA P Channel SOP-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8910 шт., срок 6 недель
31 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
22 руб.
от 150 шт. —
19 руб.
от 500 шт. —
17.25 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 155 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
SOP-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 9A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V, 7A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.175nF@25V |
Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
Type | P Channel |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
Емкость, пФ | 1230 |
Заряд затвора, нКл | 26.4 |
Максимальное напряжение сток-исток, В | -30 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -10, 5 |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 13.5 |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | P |
Упаковка | REEL, 3000 шт. |
Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 946 КБ
Документация
pdf, 936 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.