NCE65T1K2I, 650V 4A 1.1-@10V,2A 41W 4V@250uA N Channel TO-251(IPAK) MOSFETs

490 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
130 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.85 руб.
от 150 шт.77 руб.
5 шт. на сумму 650 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015854286
Артикул: NCE65T1K2I

Описание

650V 4A 1.1Ω@10V,2A 41W 4V@250uA N Channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.1Ω@10V, 2A
Drain Source Voltage (Vdss) 650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Power Dissipation (Pd) 41W
Type N Channel
Вес, г 0.72

Техническая документация

Datasheet
pdf, 476 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.