NCE65T1K2I, 650V 4A 1.1-@10V,2A 41W 4V@250uA N Channel TO-251(IPAK) MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
490 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
130 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
85 руб.
от 150 шт. —
77 руб.
5 шт.
на сумму 650 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 4A 1.1Ω@10V,2A 41W 4V@250uA N Channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 41W |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 476 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.