SI2302 A2, 20V 3.5A 1000mW 60m-@4.5V,2.8A 1.5V@250uA N Channel 800pF@10V +150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs
2500 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
5.70 руб.
20 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
20V 3.5A 1W 60mΩ@4.5V,2.8A 1.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ@4.5V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 160pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 830 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
