YGW10N120T3, TO-247 IGBTs
13 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
550 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
1 шт.
на сумму 550 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015867157
Артикул: YGW10N120T3
Описание
10A 1.2kV TO-247 IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 10A |
| Collector Cut-Off Current (Ices@Vce) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge) | - |
| Diode Forward Voltage (Vf@If) | - |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | - |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Pulsed Collector Current (Icm) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | - |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | - |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | - |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | - |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
| Type | - |
| Вес, г | 8.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 444 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
