NCE6080D, 60V 80A 7m-@10V,20A 110W 2.8V@250uA 210pF@30V N Channel 4nF@30V 90nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-263-2 MOSFETs
69 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
300 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 30 шт. —
182 руб.
1 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
60V 80A 7mΩ@10V,20A 110W 2.8V@250uA N Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4nF@30V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 110W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 210pF@30V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 90nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 376 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
