NCE6008AS, 60V 8A 2.1W 20m-@10V,8A 2.2V@250uA N Channel SOP-8 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3075 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
62 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
40 руб.
от 150 шт. —
36 руб.
от 500 шт. —
28.81 руб.
5 шт.
на сумму 310 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
60V 8A 2.1W 20mΩ@10V,8A 2.2V@250uA N Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 8A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V, 8A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 8A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.1W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 20mО© @ 8A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.2V @ 250uA |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NCE6008AS
pdf, 394 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.