F10N65, МОП-Транзистор 650В 10А 1-@10В,5А 38Вт 4В@250мкА 5пФ@25В N канал 1,53нФ@25В 31nC@10В -55-+150-@(Tj) ITO-220AB-3 МОП-Транзистор

5 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
38 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015872683
Артикул: F10N65

Описание

650V 10A 1Ω@10V,5A 38W 4V N Channel ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) -
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) -
Drain Source Voltage (Vdss) -
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) -
Input Capacitance (Ciss@Vds) -
Power Dissipation (Pd) -
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
Total Gate Charge (Qg@Vgs) -
Type -
Вес, г 1.56

Техническая документация

Datasheet
pdf, 403 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.