F10N65, МОП-Транзистор 650В 10А 1-@10В,5А 38Вт 4В@250мкА 5пФ@25В N канал 1,53нФ@25В 31nC@10В -55-+150-@(Tj) ITO-220AB-3 МОП-Транзистор
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
38 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 10A 1Ω@10V,5A 38W 4V N Channel ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | - |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | - |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | - |
Вес, г | 1.56 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 403 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.