2SJ518-VB, 60V 4.8A 2.1W 58m-@10V,3A 2.5V@250uA P Channel SOT-89-3 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
59 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
72 руб.
от 10 шт. —
59 руб.
от 30 шт. —
51 руб.
1 шт.
на сумму 72 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
60V 4.8A 2.1W 58mΩ@10V,3A 2.5V@250uA P Channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4.8A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 58mΩ@10V, 3A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 207 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.