MMDT3906_R1_00001, 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 400mV@50mA,5mA 2PCSPNP -55-~+150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT

1280 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
15 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.9 руб.
от 600 шт.7.20 руб.
20 шт. на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015880699
Артикул: MMDT3906_R1_00001

Описание

40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 2PCSPNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 200mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 400mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@10mA, 1V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 200mW
Transistor Type 2PCSPNP
Transition Frequency (fT) -
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 391 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.