MMDT3906_R1_00001, 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 400mV@50mA,5mA 2PCSPNP -55-~+150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1280 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
15 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 600 шт. —
7.20 руб.
20 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 2PCSPNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | 2PCSPNP |
Transition Frequency (fT) | - |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 391 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.