NCE3415, 20V 4A 45m-@4.5V,4A 1.4W 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
980 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
26 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
15 руб.
от 300 шт. —
14 руб.
10 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
20V 4A 45mΩ@4.5V,4A 1.4W 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4A |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.4W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 45mΩ 4A, 4.5V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV 250uA |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet NCE3415
pdf, 283 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.