NCE3415, 20V 4A 45m-@4.5V,4A 1.4W 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs

980 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
26 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.15 руб.
от 300 шт.14 руб.
10 шт. на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015881092
Артикул: NCE3415

Описание

20V 4A 45mΩ@4.5V,4A 1.4W 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) -
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Type P Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 4A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 1.4W
Rds On - Drain-Source Resistance 45mΩ 4A, 4.5V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20V
Vgs - Gate-Source Voltage 900mV 250uA
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet NCE3415
pdf, 283 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.