AP15P03Q, 30V 12A 20m-@10V,9A 900mW 2.5V@250uA P Channel PDFN-8(3x3.2) MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5690 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
66 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
47 руб.
от 150 шт. —
43 руб.
от 500 шт. —
39.60 руб.
5 шт.
на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
30V 12A 20mΩ@10V,9A 900mW 2.5V@250uA P Channel PDFN-8(3x3.2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 12A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V, 9A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 900mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 900mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 20mΩ 9A, 10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 635 КБ
Datasheet AP15P03Q
pdf, 1544 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.