AP15P03Q, 30V 12A 20m-@10V,9A 900mW 2.5V@250uA P Channel PDFN-8(3x3.2) MOSFETs

5690 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
66 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.47 руб.
от 150 шт.43 руб.
от 500 шт.39.60 руб.
5 шт. на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015886575
Артикул: AP15P03Q

Описание

30V 12A 20mΩ@10V,9A 900mW 2.5V@250uA P Channel PDFN-8(3x3.2) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 12A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V, 9A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) -
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 900mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
Total Gate Charge (Qg@Vgs) -
Type P Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 30A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 900mW
Rds On - Drain-Source Resistance 20mΩ 9A, 10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.5V 250uA
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 635 КБ
Datasheet AP15P03Q
pdf, 1544 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.