AP25P06K, 60V 25A 49m-@10V,12A 60W 1.6V@250uA 77.3pF@30V P Channel 1630.7pF@30V 37.6nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5900 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
91 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
65 руб.
от 150 шт. —
60 руб.
от 500 шт. —
53.35 руб.
5 шт.
на сумму 455 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
60V 25A 49mΩ@10V,12A 60W 1.6V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 25A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 49mΩ@10V, 12A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.6307nF@30V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 60W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 77.3pF@30V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 37.6nC@10V |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2097 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.