V2N65, TO-251 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
80 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
59 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
33 руб.
5 шт.
на сумму 295 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 2A 4V TO-251 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 15A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 300V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 5V@3A, 15A |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 12@5A, 2V |
Operating Temperature | -65℃~+200℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 175W |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.57 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 178 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.