SVF23N50PN, 500V 23A 210m-@10V,11.5A 280W 4V@250uA 10.1pF@25V N Channel 2.5958nF@25V 42.51nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-3P-3 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
350 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
420 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
от 30 шт. —
234 руб.
от 90 шт. —
198.11 руб.
1 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
500V 23A 210mΩ@10V,11.5A 280W 4V@250uA N Channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 23A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 210mΩ@10V, 11.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 500V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.5958nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 280W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10.1pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 42.51nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 6.57 |
Техническая документация
Datasheet SVF23N50PN
pdf, 531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.