MMBTA06, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
3000 шт., срок 6 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
4.10 руб.
от 3000 шт. —
3.55 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
80V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 328 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
