NCE60P04R, 60V 4.3A 106m-@10V,4A 3.1W 2.2V@250uA 35pF@30V P Channel 930pF@30V 25nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOT-223-3 MOSFETs

630 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
76 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.49 руб.
от 150 шт.43 руб.
от 500 шт.34.16 руб.
5 шт. на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015899700
Артикул: NCE60P04R

Описание

60V 4.3A 106mΩ@10V,4A 3.1W 2.2V@250uA P Channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4.3A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 106mΩ@10V, 4A
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 930pF@30V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 3.1W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 35pF@30V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 25nC@10V
Type P Channel
Вес, г 0.27

Техническая документация

Datasheet NCE60P04R
pdf, 333 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.