S8050, 100nA 25V 300mW 120@50mA,1V 500mA 150MHz 600mV@500mA,50mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
26600 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.10 руб.
от 6000 шт. —
1.79 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
25V 300mW 500mA SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@50mA, 1V |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 402 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.