F4N65, ITO-220AB-3 MOSFETs

205 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
96 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.63 руб.
от 150 шт.55 руб.
5 шт. на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015902855
Артикул: F4N65

Описание

650V 4A 4V ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.3Ω@10V, 2A
Drain Source Voltage (Vdss) 650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 610pF@25V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 30W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 7pF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 13.7nC@10V
Type N Channel
Вес, г 2.41

Техническая документация

Datasheet
pdf, 126 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.