F4N65, ITO-220AB-3 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
205 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
96 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
63 руб.
от 150 шт. —
55 руб.
5 шт.
на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 4A 4V ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3Ω@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 610pF@25V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 30W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13.7nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.41 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 126 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.