NCE40H12I, 40V 120A 3.6m-@10V,20A 120W 1.8V@250uA 380pF@20V N Channel 5.4nF@20V 75nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-251 MOSFETs

740 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
270 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 30 шт.144 руб.
от 100 шт.129.38 руб.
1 шт. на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015904455
Артикул: NCE40H12I

Описание

40V 120A 3.6mΩ@10V,20A 120W 1.8V@250uA N Channel TO-251 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 120A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.6mΩ@10V, 20A
Drain Source Voltage (Vdss) 40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 5.4nF@20V
Operating Temperature -55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 120W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 380pF@20V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 75nC@10V
Type N Channel
Вес, г 0.62

Техническая документация

Datasheet
pdf, 392 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.