MMBT3904T, 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 200MHz 300mV@50mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-523-3 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1250 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
50 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 150mA NPN SOT-523-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 604 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.