MS5N100, 1000V 5A TO-3PH MOSFETs

236 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
320 руб.
от 10 шт.210 руб.
от 30 шт.168 руб.
от 90 шт.135.80 руб.
1 шт. на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015907002
Артикул: MS5N100

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V, 1.75A
Drain Source Voltage (Vdss) 1kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4.5V@100μA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.154nF
Operating Temperature -55℃~+175℃
Power Dissipation (Pd) 56W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 21.3pF
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 42nC
Type null
Вес, г 7.3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 3619 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.