MS5N100, 1000V 5A TO-3PH MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
236 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
320 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 30 шт. —
168 руб.
от 90 шт. —
135.80 руб.
1 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@10V, 1.75A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 1kV |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@100μA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.154nF |
Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
Power Dissipation (Pd) | 56W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 21.3pF |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 42nC |
Type | null |
Вес, г | 7.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3619 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.