NCE60ND09AS, SOP-8 IGBTs
3221 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
190 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 30 шт. —
111 руб.
от 100 шт. —
99.39 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
60V 9A 2.6W 10mΩ@10V,9A 1.8V@250uA null SOP-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 9A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V, 9A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 2.6W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 58nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 416 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
