2SC3356, 50nA 11V 200mW 82@5mA,10V 50mA 3.2GHz 500mV@10mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
6820 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
10 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.40 руб.
от 3000 шт. —
3.88 руб.
20 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
12V 200mW 100mA SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 125@20mA, 10V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 7GHz |
Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.