NCE6012AS, 60V 12A 11m-@10V,12A 3W 1.8V@250uA N Channel SOP-8 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
905 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
94 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
60 руб.
от 150 шт. —
52 руб.
от 500 шт. —
41.62 руб.
5 шт.
на сумму 470 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 12A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V, 12A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 3W |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 3W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 11mО© @ 12A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.8V @ 250uA |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet NCE6012AS
pdf, 404 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.