NCE6012AS, 60V 12A 11m-@10V,12A 3W 1.8V@250uA N Channel SOP-8 MOSFETs

905 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
94 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.60 руб.
от 150 шт.52 руб.
от 500 шт.41.62 руб.
5 шт. на сумму 470 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015911585
Артикул: NCE6012AS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 12A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V, 12A
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
Power Dissipation (Pd) 3W
Type N Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 12A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 3W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 11mО© @ 12A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.8V @ 250uA
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet NCE6012AS
pdf, 404 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.