MMBT5401_R1_00001, 50nA 150V 225mW 60@10mA,5V 600mA 100MHz 500mV@50mA,5mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

5820 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
13 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.8 руб.
от 600 шт.6.40 руб.
от 3000 шт.4.86 руб.
20 шт. на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015913150
Артикул: MMBT5401_R1_00001

Описание

150V 225mW 60@10mA,5V 600mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 600mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 150V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 60@10mA, 5V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 100MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 150V
Maximum DC Collector Current 600mA
Pd - Power Dissipation 225mW
Вес, г 0.03

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.