NCE40P05Y, 40V 5.3A 2W 85m-@10V,5A 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
22700 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
24 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
15 руб.
от 300 шт. —
13 руб.
от 3000 шт. —
9.93 руб.
10 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
40V 5.3A 2W 85mΩ@10V,5A 3V@250uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 46mΩ@10V, 4.4A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.295nF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 130pF@15V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.4nC@4.5V |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 5.3A |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 2W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 85mΩ 5A, 10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V 250uA |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet NCE40P05Y
pdf, 293 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.