NCE3407, 30V 4.1A 65m-@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs

2710 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.12 руб.
от 300 шт.11 руб.
10 шт. на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015920218
Артикул: NCE3407

Описание

30V 4.1A 65mΩ@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4.3A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@10V, 4A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
Power Dissipation (Pd) 1.5W
Type P Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 4.1A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 1.4W
Rds On - Drain-Source Resistance 65mО© @ 4.1A,10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Вес, г 0.8

Техническая документация

Datasheet NCE3407
pdf, 281 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.