NCE3407, 30V 4.1A 65m-@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2710 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
10 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
30V 4.1A 65mΩ@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@10V, 4A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.1A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.4W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 65mО© @ 4.1A,10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet NCE3407
pdf, 281 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.