MMBTA42_R1_00001, 100nA 300V 250mW 25@1mA,10V 500mA 50MHz 500mV@20mA,2mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5410 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
8 руб.
от 3000 шт. —
5.95 руб.
10 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
300V 250mW 40@30mA,10V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 300V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@20mA, 2mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@30mA, 10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Вес, г | 0.03 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.