MMBT3906, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
8585 шт., срок 6 недель
4 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 150 шт. —
2.40 руб.
от 500 шт. —
1.80 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 20 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
40V 350mW 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
