MS18N100HGC0, 1000V 18A TO-247 MOSFETs

85 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
1 410 руб.
от 10 шт.1 070 руб.
от 30 шт.903 руб.
1 шт. на сумму 1 410 руб.
Плати частями
от 354 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015926691
Артикул: MS18N100HGC0

Описание

1kV 18A 470W 550mΩ@10V,9A 4V@250μA null TO-247 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 18A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@10V, 9A
Drain Source Voltage (Vdss) 1kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250μA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 2.85nF
Operating Temperature -55℃~+175℃
Power Dissipation (Pd) 470W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 30pF
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 66.64nC
Type null
Вес, г 7.68

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.