NCE60H15AD, 60V 150A 3.1m-@10V,75A 220W 3V@250uA 488pF@30V N Channel 5.451nF@30V 130.8nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-263-2 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1357 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
450 руб.
от 10 шт. —
310 руб.
от 30 шт. —
271 руб.
от 100 шт. —
236.76 руб.
1 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
60V 150A 3.1mΩ@10V,75A 220W 3V@250uA 1PCSNChannel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 150A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.1mΩ@10V, 75A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.451nF@30V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 220W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 488pF@30V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 130.8nC@10V |
Type | 1PCSNChannel |
Вес, г | 2.03 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.