F7N65, ITO-220ABW MOSFETs
15 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 550 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 7A 4V ITO-220ABW MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@3.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.245nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 52W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 36nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 1.48 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
