SI2301, SOT-23 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2000 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
9 руб.
10 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
20V 2.2A 700mW 120mΩ@4.5V,1.5A 1.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@4.5V, 2.8A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.