RD3P050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1542 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
120 руб.
от 10 шт. —
83 руб.
от 30 шт. —
65 руб.
от 100 шт. —
57.59 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 15 W |
| Qg - заряд затвора: | 14 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 135 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.5 V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время нарастания: | 15 ns |
| Время спада: | 15 ns |
| Другие названия товара №: | RD3P050SN |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 2500 |
| Серия: | RD3P |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 10 ns |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | DPAK-3 |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | DPAK-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | RD3P050SN |
| Pd - Power Dissipation | 15 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 14 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 135 mOhms |
| Rise Time | 15 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 205 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | RD3P050SN |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Width | 6.4mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2902 КБ
Datasheet RD3P050SNTL1
pdf, 1647 КБ
Datasheet RD3P050SNTL1
pdf, 1647 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
