MMBT3906, 100nA 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 250MHz 300mV@50mA,5mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2450 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
40V 300mW 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100 |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 817 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.