FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V
![FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/736/DOC026736391.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
175 100 руб.
Кратность заказа 3 шт.
3 шт.
на сумму 525 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 900 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 5.1 kW |
Number of Transistors | 2 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1718 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов