FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V

FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
175 100 руб.
Кратность заказа 3 шт.
3 шт. на сумму 525 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8016042946
Артикул: FF900R12IP4BOSA2

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 900 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 5.1 kW
Number of Transistors 2
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1718 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов