GD1200SGX170A3S, Trench FS IGBT модуль, Low Loss, 1700V
![Фото 1/3 GD1200SGX170A3S, Trench FS IGBT модуль, Low Loss, 1700V](https://static.chipdip.ru/lib/410/DOC022410977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC033367736.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC033367739.jpg)
1 шт. со склада г.Москва
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
96 130 руб.
1 шт.
на сумму 96 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1200 |
Структура модуля | одиночный транзистор |
Тип силового модуля | Одиночный транзистор |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.