BC847ALT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 50В, 0,1А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 50В, 0,1А, 225мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов