APT30GP60BDQ1G, Транзистор: IGBT; PT; 600В; 49А; 463Вт; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 630 руб.
от 3 шт. —
2 870 руб.
от 10 шт. —
2 270 руб.
1 шт.
на сумму 3 630 руб.
Плати частями
от 909 руб. × 4 платежа
от 909 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 49A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 90nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 463W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Technology | POWER MOS 7®, PT |
| Turn-off time | 165ns |
| Turn-on time | 31ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.08 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
