RGT40TS65DGC13 Single IGBT, 40 650 V TO-247GE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 6 недель
1 680 руб.
1 шт.
на сумму 1 680 руб.
Плати частями
от 420 руб. × 4 платежа
от 420 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM RGT series is field stop trench IGBT have built in very fast and soft recovery FRD system which are available in TO-247GE package and can be used in general inverter, UPS, power conditioner and welder applications.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 1.44 mW |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247GE |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | RGT40TS65D |
Pd - Power Dissipation: | 144 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4694 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.