N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-346 RQ5E030AJTCL
![Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-346 RQ5E030AJTCL](https://static.chipdip.ru/lib/353/DOC024353274.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288655.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC006545325.jpg)
250 шт., срок 6 недель
50 руб.
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 2 500 руб.
Плати частями
от 625 руб. × 4 платежа
от 625 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Low on -resistance Small Surface Mount Package(TSMT3) Pb-free lead plating, RoHS compliant
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
Maximum Drain Source Resistance | 109 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-346 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V |
Width | 1.8mm |
Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 2.1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 3.5 ns |
Другие названия товара № | RQ5E030AJ |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.7 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 12 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-346-3 |
Drain Source On State Resistance | 0.057Ом |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 3А |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.057Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2410 КБ
Datasheet RQ5E030AJTCL
pdf, 2364 КБ
Datasheet RQ5E030AJTCL
pdf, 1423 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.