N-Channel MOSFET, 160 A, 40 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 300 руб.
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 65 000 руб.
Плати частями
от 16 250 руб. × 4 платежа
от 16 250 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Qg - заряд затвора | 100 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 110 ns |
Время спада | 58 ns |
Высота | 15.65 mm |
Длина | 10 mm |
Другие названия товара № | SP001520218 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.4 mm |
Number of Elements per Chip | 1 |
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 180 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.7@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 200000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Packaging | Tube |
Part Status | LTB |
PCB changed | 3 |
PPAP | Unknown |
Process Technology | HEXFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220AB |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Tab | Tab |
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 2.7@10V |
Typical Fall Time (ns) | 58 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 100 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 100@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4340@25V |
Typical Rise Time (ns) | 110 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 36 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 385 КБ
Datasheet
pdf, 395 КБ
Datasheet AUIRF1404Z
pdf, 383 КБ
Datasheet AUIRF1404Z
pdf, 376 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов