Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Вид	NPN
Тип	биполярный
Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.57 mm
Длина	6.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	130 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BCP56
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.5 mm
Collector Emitter Voltage Max	80В
Continuous Collector Current	1А
DC Усиление Тока hFE	63hFE
Power Dissipation	1.5Вт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Линейка Продукции	BCxxx
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	130МГц
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum DC Collector Current	1 A

BCP56-10T1G, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT223

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация