FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

61 590 руб.

1 шт. на сумму 61 590 руб.

Плати частями
от 15 399 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8017285046

Артикул: FS150R12KT4B11BOSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.

Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	150 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	750 W
Number of Transistors	6

pdf, 504 КБ

Мы рекомендуем